2023年考研即将开始,希望23考研的考生根据大纲内容进行查漏补缺,24考研的考生可以根据大纲内容进行备考啦!以下是小编为大家整理的【沈阳工业大学--004信息科学与工程学院--J620晶体管原理】考试大纲具体内容,希望大家备考顺利哦~
一、援引教材
《晶体管原理》第一版 国防工业出版社 刘永、张福海 2002年
二、考试要求
系统地掌握pn结、双极型和场效应晶体管的基本工作原理、直流特性、频率特性、开关特性和功率特性的物理基础。
三、考试内容
1)PN结
a: PN结的形成和杂质分布、平衡PN结的空间电荷区和能带图
b: 非平衡PN结、PN结的直流特性、 PN结空间电荷区的电场和电位分布
c: PN结的势垒电容、PN结小信号交流特性
d: PN结的击穿特性
2)晶体管直流特性
a: 晶体管放大原理、晶体管电流放大系数
b: 晶体管反向电流和击穿电压
c: 晶体管频率特性 (1)晶体管交流特性理论分析(2)共发射极短路电流放大系数及其截止频率
d:晶体管功率特性 (1)大注入效应(2)基区扩展效应
3)晶体管开关时间
4) MOS场效应晶体管 (1)MOSFET的阈值电压(2)MOSFET的伏安特性(3)短沟道效应
以上就是考试大纲的具体内容,希望大家珍惜时间,合理安排考前的作息,预祝大家学有所成、金榜题名!
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