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400-108-7500
对于某存储芯片，假定动态刷新间隔为2ms，读写周期和刷新周期均为0.2微秒，该芯片中包含128行，每个刷新周期可以完成一行存储单元的刷新，如果该芯片采用异步刷新方式工作，那么其读写周期和刷新周期可以安排为（ ）
A : 3999次读写周期后，安排一次刷新操作
B : 2000次读写周期后，安排一次刷新操作
C : 128次读写周期后，安排一次刷新操作
D : 64次读写周期后，安排一次刷新操作
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